图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
CCS050M12CM2 |
| FET特点 | Silicon Carbide (SiC) |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 87A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 2.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 供应商设备封装 | Module |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| FET型 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| 功率 - 最大 | 337W |
| 标准包装 | 1 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2.810nF @ 800V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 180nC @ 20V |
| 封装/外壳 | Module |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 系列 | CCS050M12CM2 |
| 典型延迟时间 | 21 ns, 50 ns |
| 反向电压 | 1.2 kV |
| 安装风格 | Screw |
| 封装/外壳 | E2 |
| 配置 | Three Phase - PFC Modules |
| 类型 | Six-Pack SiC Modules |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 87 A |
| 栅源电压（最大值） | 25 V |
| 工作温度范围 | -40C to 150C |
| 极性 | N |
| 元件数 | 6 |
| 工作温度分类 | Automotive |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 1200 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 87A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| usewith | CRD-001 |
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